SID1102K

最大 1200 V の IGBT と MOSFET に対して、強化絶縁を提供する最大 5 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

n-MOSFET ブースター回路搭載の標準的なアプリケーション回路図

データ シート

ECAD Models


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製品詳細

SID1102K は、eSOP ワイドパッケージのシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET のゲート ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的な固体絶縁 FluxLink™ 技術によって実現されます。最大 5 A のピーク出力ドライブ電流により、この製品は最大 300 A の定格電流でデバイスを駆動できます。ブースター回路は、5 A を超えるゲート ドライバの要件下で使用でき、AUXGL 及び AUXGH の出力ピンは、最大 60 A で外部 N チャンネル MOSFET を駆動します。

コントローラ (PWM) 信号は 5 V の CMOS ロジックと互換性があり、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。二次側の電圧管理により、+15 から -10 V のバイポーラ ゲート ドライブ電圧が提供されますが、+25 V の単一電圧のみ必要となります。+15 V ゲート ドライブ電圧は、チップの内蔵 Vee 電圧レギュレータにより制御されます。低電圧ログ アウトによりゲート信号がオフになり、IGBT または MOSFET の安全な操作を持続できます。

用途

主な特長

  • 最大 1200 V 及び IGBT 電流 (50 A から最大 3600 A) で IGBT モジュールを駆動するために幅広く柔軟に使用できる IGBT ゲート ドライバ
  • ブースターを必要とせず最大 5A のピーク ゲート ドライブ電流を提供するシングル チャンネル
  • 最大 60A まで高められたピーク ドライブ電流の外部ハイ及びローサイド N チャンネル ブースター回路に対する補助出力
  • 低電圧ログ アウト
  • 一次側と二次側の間に安全な絶縁を提供する内蔵 FluxLink 技術
  • レイルツーレイルの安定出力電圧
  • 二次側に対して単一電圧動作
  • 600 V/650 V/1200 V の IGBT スイッチ及び MOSFET スイッチに最適
  • 最大 75 kHz のスイッチング周波数
  • ±5 ns の伝搬ディレージッター
  • -40 ℃ ~ 125 ℃の動作周囲温度
  • 優れたコモンモード過渡耐性
  • 9.5 mm の沿面距離と空間距離に対応した eSOP パッケージ

出力電力

Product1Peak Output Drive Current
SID1102K5 A (外付けブースターなし)

Notes:

  1. Package - K: eSOP-R16B.

製品ドキュメント

製品イメージ