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SID1183K

1700 V の IGBT と MOSFET に対して、基礎絶縁を提供する最大 8 A のシングルチャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

標準的なアプリケーション回路図

データ シート

ECAD Models


SID1183K ECAD Models

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製品詳細

SID1183K は、eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。ガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的な固体絶縁 FluxLink 技術によって実現されます。最大 8 A のピーク出力ドライブ電流により、この製品はアクティブ コンポーネントの追加を必要とせずに最大 600 A でデバイスを駆動できます。SID1183K の単独の性能を超えるゲート ドライバの要件に対しては、外部ブースターを追加できます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、絶縁された単一電圧によって供給されます。

アドバンストソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側/二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度とプロセスで補正された出力インピーダンスを含むレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V の CMOS ロジックと互換性があり、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。

用途

主な特長

高集積化、小さな実装面積

  • 最大 8 A ピーク ドライブ電流を供給する分割出力
  • 一次側と二次側の間に安全な絶縁を提供する内蔵 FluxLink™ 技術
  • レイルツーレイルの安定出力電圧
  • 二次側に対して単一電圧動作
  • 1700 V の IGBT スイッチ及び MOSFET スイッチに最適
  • 最大 75 kHz のスイッチング周波数
  • 260 ns の短い伝搬ディレー時間
  • ±5 ns の伝搬ディレージッター
  • -40 ℃ ~ 125 ℃の動作周囲温度
  • 優れたコモンモード過渡耐性
  • 9.5 mm の空間距離と沿面距離に対応した eSOP パッケージ

優れた保護/安全特性

  • 一次側と二次側の低電圧ロックアウト保護 (UVLO) と異常フィードバック
  • VCESAT モニタリング及び異常フィードバック、ダイオードまたは抵抗チェーンを使用した短絡保護
  • アドバンストソフト シャット ダウン (ASSD)

安全規格及び規制に対して完全準拠

  • 生産ラインでの 100% 部分放電試験
  • 6 kV RMS (1 秒) の生産ラインでの HIPOT 100% 試験に対応
  • 基礎絶縁は VDE 0884-10 に適合

グリーン パッケージ

  • ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合

出力電力

ファミリー1ピーク出力ドライブ電流
SID1183K 8 A

Notes:

  1. パッケージ - K: eSOP-R16B.

製品ドキュメント

設計例

製品イメージ