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SID11X2K

優れた安全特性と保護機能を提供するガルバニック絶縁されたシングルチャネル ゲート ドライバ IC

標準的なアプリケーション回路図

データ シート

ECAD Models


SID11X2K ECAD Models

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製品詳細

SID11x2K は、標準 eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化されたガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的��固体絶縁 FluxLink 技術を使用することにより、実現されます。最大 8 A のピーク出力ドライブ電流により、この製品はアクティブ コンポーネントの追加を必要とせずに最大 600 A (標準) でデバイスを駆動できます。必要なゲート電流が SID11x2K の単独で供給可能な性能を超える大電流スイッチング半導体に対しては、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、単一の単極絶縁電圧ソースによって供給されます。

高度なソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側/二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度とプロセスで補正された出力インピーダンスを含むレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V の CMOS ロジックと互換性があり、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整できます。

用途

主な特長

  • 高集積化、小さい実装面積
    • 最大 8 A ピーク ドライブ電流を供給する分割出力
    • 一次側と二次側の間に安全な絶縁を提供する内蔵 FluxLink™ 技術
    • レイルツーレイルの安定出力電圧
    • 二次側の単極供給電圧
    • 600 V/650 V/1200 V の IGBT スイッチ及び MOSFET スイッチに最適
    • 最大 250 kHz のスイッチング周波数
    • 260 ナノ秒の短い伝搬遅延時間
    • ±5 ナノ秒の伝搬遅延 ジッター
    • -40 ℃ ~ 125 ℃の動作周囲温度
    • 高いコモンモード過渡耐性
    • 9.5 mm の空間距離と沿面距離が確保された eSOP パッケージ
  • 優れた保護/安全特性
    • 一次側と二次側の低電圧ロックアウト保護 (UVLO) と異常フィードバック
    • VCESAT の監視機能及び異常フィードバック ダイオード* または抵抗チェーン** を使用した短絡保護 (図 1 を参照)
    • 高度なソフト シャット ダウン (ASSD)
  • 安全規格及び規制に完全に準拠
    • 生産ラインにおける100% 部分放電試験
    • 6 kV RMS (1 秒) の生産ラインでの HIPOT 100%試験 に対応
    • VDE 0884-10 に従って強化された絶縁
    • UL 資格取得済み: E358471
    • 比較トラッキング指数 (CTI) = 600
  • グリーン パッケージ
    • ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合

製品ポートフォリオ

ファミリー1ピーク出力ドライブ電流
SID1112K1.0 A
SID1132K2.5 A
SID1152K5.0 A
SID1182K8.0 A

注:

  1. パッケージ - K: eSOP-R16B.

製品ドキュメント

設計例

製品イメージ