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SIC1182K

高達 8 A 的單通道 SiC MOSFET 閘極驅動器,提供了高達 1200 V 的進階主動箝位和增強型絕緣

應用
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Product Parts
產品
產品規格型錄
IGBT電壓等級
最大開關頻率
閘極峰值電流 (最大)
主/外圍
支持的模組種類
邏輯輸入電壓
保護功能
技術
支持的拓撲
接口類型
電源電壓 (典型)
隔離類型
隔離技術
時間 - 輸出下降
時間 - 輸出上升
驅動模式
並行支持?
IGBT Voltage Class 1200 V
Max Switching Frequency 150.0 kHz
Gate Peak Current (Max) +8 A
Main/Peripheral N/A
Supported Module Type Silicon Carbide
Logic Input Voltage 5
Protection Features Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
Technology SCALE-iDriver
Supported Topologies 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Interface Type Electrical
Supply Voltage (Typ) 5 V
Isolation Type Reinforced
Isolation Technology Fluxlink
Time - Output Fall 18 ns
Time - Output Rise 22 ns
Driving Mode Direct-Independent
Paralleling Support? No

產品詳情

SIC1182K 是適用於 SiC MOSFET 的 eSOP-R16B 封裝中的單通道閘極驅動器。增強電化絕緣基於 Power Integrations 變革性的固態絕緣體 FluxLink 技術。高達 ±8 A 的峰值輸出驅動電流可讓產品驅動具有高達 600 A (典型值) 標準電流的裝置。

一次側和二次側欠壓鎖閉 (UVLO) 以及具有溫度和流程補償輸出阻抗的軌對軌輸出等其他功能,可保證在嚴苛條件下也能安全運作。

此外,此閘級驅動器 IC 具有一項全新的功能,即進階主動箝位 (在關閉階段),此功能透過單一感測接腳將短路保護 (在開啟階段和開啟階段期間) 與過壓限制相結合。如果驅動的半導體提供電流感測端子,則支援��調整的過電流偵測。

高度整合、佔用面積小

  • 適用於 600 V/650 V/1200 V SiC MOSFET 切換開關
  • ±8 A 峰值閘極輸出電流
  • 整合式 FluxLink™ 技術,提供增強型絕緣
  • 進階主動箝位
  • 一次側和二次側 UVLO
  • 過電流故障關閉
  • 短路電流故障關閉
  • 軌對軌穩定輸出電壓
  • 二次側單極供應電壓
  • 高達 150 kHz 的切換頻率
  • 傳播延遲頻率抖動 (Jitter) 為 ±5 ns
  • 工作環境溫度 -40 °C 至 +125 °C
  • 高共模暫態耐受性
  • eSOP 封裝的安規與間隔距離達 9.5 mm

保護/安全功能

  • 一次側和二次側欠壓鎖閉保護,包括故障回授
  • 具有電流感測端子的 SiC MOSFET 過電流偵測
  • 超快速短路監控
  • 關閉過壓限制 (進階主動箝位)

絕對安全且符合法規

  • 100% 經過生產部分放電測試
  • 100% 符合生產 HIPOT 測試
  • 增強絕緣 VDE V 0884-10 認證
  • UL 1577 認證待審中

綠色環保封裝

  • 無鹵素,符合 RoHS 標準

應用

  • 一般用途和伺服驅動器
  • UPS、PV、焊接變頻器和電源供應器
  • 其他工業應用

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